Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
STW200NF03 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 120A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.262
STW20N60M2-EP STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2-EP Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 278mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 787pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.534
STW20N65M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 18A TO247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 130W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.660
STW20N90K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP., Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.404
STW20N95DK5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TO 247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ DK5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 950V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.688
STW20N95K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH5™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 950V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile11.856
STW20NB50 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.436
STW20NK50Z STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 17A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile16.920
STW20NK70Z STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 20A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.058
STW20NM50 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 550V 20A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 550V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 214W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.060
STW20NM50FD STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: FDmesh™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 214W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.372
STW20NM60 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 192W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile2.862
STW20NM60FD STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: FDmesh™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 214W (Tc) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.778
STW20NM65N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 19A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 160W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.730
STW21N150K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1500V 14A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3145pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 446W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile11.496
STW21N65M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 17A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.416
STW21N90K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH5™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1645pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.670
STW21NM50N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 18A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.230
STW21NM60N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 17A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.508
STW21NM60ND STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 17A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: FDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.888
STW220NF75 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 120A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.002
STW22N95K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperMESH5™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 950V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.368
STW22NM60N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.550
STW23N80K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 16A Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile28.062
STW23N85K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 850V 19A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH5™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 850V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.462
STW23NM50N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 17A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.020
STW23NM60N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 19A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.218
STW23NM60ND STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: FDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.290
STW240N10F7 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 180A TO247 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11550pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.084
STW24N60DM2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: FDmesh™ II Plus Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.066

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