Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 1877/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
STS4DNFS30L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.924
STS4DPFS30L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.868
STS4NF100 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.492
STS5N15F3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile39.702
STS5N15F4 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 5A 8SO Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2710pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.394
STS5NF60L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile47.742
STS5P3LLH6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ H6 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 639pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.588
STS5PF20V STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 2.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.248
STS5PF30L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.322
STS6NF20V STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 6A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.95V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile25.482
STS6P3LLH6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.526
STS6PF30L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1670pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.604
STS7N3LLH6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.600
STS7NF60L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.542
STS7P4LLF6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F6 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.880
STS7PF30L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.964
STS8N6LF6AG STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile25.950
STS9NF30L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.754
STS9NF3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile73.344
STS9NH3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.652
STS9P2UH7 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.244
STS9P3LLH6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET PCH 30V 9A SO8 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ H6 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.040
STSJ100NH3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 25A PWR8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4450pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 70W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC-EP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	Disponibile5.076
STSJ100NHS3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 70W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC-EP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	Disponibile8.370
STSJ25NF3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 25A 8-PWRSOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 70W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	Disponibile5.274
STSJ50NH3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 965pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	Disponibile3.436
STSJ60NH3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC-EP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	Disponibile22.890
STT2PF60L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 313pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6	Disponibile7.992
STT3P2UH7 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6	Disponibile8.082
STT3PF20V STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6	Disponibile6.642

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