Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
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Record 64.903

Pagina 1699/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
RSD100N10TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 10A CPT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.408
RSD130P10TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 13A SOT428 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.274
RSD131P10TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 13A CPT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 850mW (Ta), 20W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile8.784
RSD140P06TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 14A CPT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.996
RSD150N06TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 15A CPT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.920
RSD160P05TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 45V 16A CPT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile77.460
RSD175N10TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile8.064
RSD200N05TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 45V 20A CPT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile19.590
RSD200N10TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.344
RSD201N10TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 850mW (Ta), 20W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile53.844
RSD220N06TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 22A SOT428 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile19.050
RSD221N06TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 850mW (Ta), 20W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CPT3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.182
RSE002N06TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: EMT3 Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416	Disponibile95.076
RSE002P03TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: EMT3 Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416	Disponibile2.412
RSF010P03TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile8.478
RSF010P05TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile8.208
RSF014N03TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V Vgs (massimo): 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile5.760
RSF015N06FRATL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NCH 60V 1.5A POWER MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile5.436
RSF015N06TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V Vgs (massimo): 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile8.298
RSH065N03TB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 6.5A SOP8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile21.168
RSH065N06GZETB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 4V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOSFE Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V Vgs (massimo): 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile21.414
RSH065N06TB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V Vgs (massimo): 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.438
RSH070N05GZETB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 45V 7A SOP8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 5V Vgs (massimo): 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.490
RSH070N05TB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 45V 7A SOP8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 5V Vgs (massimo): 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.570
RSH070P05GZETB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.886
RSH070P05TB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile26.856
RSH090N03TB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 9A SOP8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.948
RSH100N03TB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 10A SOP8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1070pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.798
RSH110N03TB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.294
RSH125N03TB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12.5A SOP8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1670pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.100

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