Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
RCJ050N25TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 5A LPT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS (SC-83) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile13.974
RCJ081N20TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 8A LPT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS (SC-83) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.768
RCJ100N25TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 10A LPT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS (SC-83) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.904
RCJ120N20TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 12A LPT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS (SC-83) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.974
RCJ120N25TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 12A LPT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS (SC-83) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.654
RCJ160N20TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 16A LPTS Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.660
RCJ200N20TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 20A LPTS Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.202
RCJ220N25TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 22A LPTS Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS (SC-83) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.556
RCJ300N20TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 30A LPTS Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile23.784
RCJ330N25TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 33A LPTS Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile12.276
RCJ450N20TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 45A LPTS Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.562
RCJ510N25TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 51A LPTS Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile21.000
RCJ700N20TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 70A LPTS Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LPTS Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.464
RCX050N25 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 5A TO-220FM Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1100mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile3.870
RCX051N25 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 5A TO220 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.23W (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.262
RCX080N25 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 8A TO220 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.23W (Ta), 35W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.524
RCX081N20 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 8A TO220 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.23W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.244
RCX100N25 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 10A TO-220FM Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile11.256
RCX120N20 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 12A TO-220FM Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.23W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.058
RCX120N25 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FM Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.23W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.900
RCX160N20 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 16A TO220 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.23W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.760
RCX200N20 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 20A TO220 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.23W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.632
RCX220N25 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 22A TO220 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.23W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.656
RCX300N20 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 30A TO220 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.23W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.254
RCX330N25 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 33A TO-220FM Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.23W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.052
RCX450N20 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 45A TO220 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.23W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile10.152
RCX510N25 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FM Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile21.156
RCX511N25 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 51A TO220 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.23W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile9.468
RCX700N20 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 70A TO220 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.23W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile9.396
RD3G400GNTL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo RD3G400GN IS A POWER MOSFET WITH Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1410pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 26W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile20.538

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