Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
NVTFWS005N04CTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 40V SG NCH U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 69A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile2.718
NVTFWS008N04CTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 40V SG NCH U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 48A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.118
NVTFWS010N10MCLTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile8.118
NVTFWS015N04CTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 27A Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Ta), 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.598
NVTGS3455T1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile5.562
NVTJD4105CT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET 20V 0.63A SC-88 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363 Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile4.590
NVTJD4158CT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363 Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile4.572
NVTJD4401NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.544
NVTP2955G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET 60V 12A 196 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.322
NVTR01P02LT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile46.986
NVTR0202PLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.4A SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 225mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile5.688
NVTR4502PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile154.794
NVTR4503NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 420mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile23.952
NVTS4409NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V/8V 0.075A SC-70 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile8.226
NX138AKR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 190mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 325mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile242.058
NX138AKVL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 190mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 265mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile5.868
NX138BKR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V TO-236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 265mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 310mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile25.044
NX138BKVL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 265mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49nC @ 30V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 310mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.700
NX138BKWF Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 210MA SC70 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 210mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile4.266
NX138BKWX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 210MA SC70 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 210mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 266mW (Ta), 1.33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile46.488
NX2301P,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2A TO-236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta), 2.8W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.086.332
NX2301PVL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHANNEL 20V 2A TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.010
NX3008NBK,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V TO-236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 400mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.189.872
NX3008NBKMB,315 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 530mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006B-3 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile8.118
NX3008NBKT,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V SC-75 Produttore: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250mW (Ta), 770mW (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-75 Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416	Disponibile8.514
NX3008NBKVL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NX3008NBK/SOT23/TO-236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.212
NX3008NBKW,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V SOT323 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 260mW (Ta), 830mW (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile258.576
NX3008PBK,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V TO-236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile555.084
NX3008PBKMB,315 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006B-3 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile4.104
NX3008PBKT,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V SC-75 Produttore: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250mW (Ta), 770mW (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-75 Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416	Disponibile6.174

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