Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
NTMFS5H431NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T8 40V LOW COSS Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 106A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 66W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile4.896
NTMFS5H600NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T8 60V MOSFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), 250A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6680pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.3W (Ta), 160W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile2.268
NTMFS5H600NLT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 35A 250A 5DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), 250A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6680pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.3W (Ta), 160W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile8.406
NTMFS5H610NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T8 60V LOW COSS Produttore: ON Semiconductor Serie: #3 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 43W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile2.466
NTMFS5H615NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T8 60V LOW COSS Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 185A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 49A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4860pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 139W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile4.626
NTMFS5H630NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 6DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile4.680
NTMFS6B03NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 132A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.4W (Ta), 165W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.636
NTMFS6B03NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 132A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.4W (Ta), 165W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.790
NTMFS6B05NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 104A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.3W (Ta), 138W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.454
NTMFS6B05NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 104A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.3W (Ta), 138W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.482
NTMFS6B14NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.482
NTMFS6B14NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.550
NTMFS6D1N08HT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T8 80V Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 89A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2085pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile5.724
NTMFS6H800NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo FET 80V 224A Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.996
NTMFS6H800NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRENCH 8 80V NFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 203A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5530pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile2.520
NTMFS6H801NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRENCH 8 80V NFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 157A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4120pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 166W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile13.080
NTMFS6H818NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRENCH 8 80V NFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 123A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile7.380
NTMFS6H836NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T8 80V SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 74A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1640pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile5.742
NTMFS6H848NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T8 80V SG SO-8FL-U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 57A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 73W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile8.982
NTMJS0D9N04CLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 40V LL LFPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta), 330A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8862pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Gull Wing	Disponibile7.110
NTMJS1D0N04CTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRENCH 6 40V SL NFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A (Ta), 300A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 190µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Gull Wing	Disponibile8.406
NTMJS1D2N04CLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 40V LL LFPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 41A (Ta), 237A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Gull Wing	Disponibile8.532
NTMJS1D3N04CTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRENCH 6 40V SL NFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 41A (Ta), 235A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Gull Wing	Disponibile7.254
NTMJS1D5N04CLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo FET 40V 185A Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.906
NTMJS1D6N06CLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 60V LL LFPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta), 250A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6660pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Gull Wing	Disponibile3.996
NTMJS1D7N04CTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRENCH 6 40V SL NFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), 185A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 106W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Gull Wing	Disponibile7.920
NTMJS2D5N06CLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 155A Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Ta), 113A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.9W (Ta), 113A (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Gull Wing	Disponibile4.320
NTMKB4895NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 15A ICEPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 66A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1644pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8) Pacchetto / Custodia: 4-ICEPAK	Disponibile3.528
NTMKE4891NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26.7A (Ta), 151A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4360pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9) Pacchetto / Custodia: 5-ICEPAK	Disponibile8.262
NTMKE4892NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 126A ICEPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), 148A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4270pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9) Pacchetto / Custodia: 5-ICEPAK	Disponibile4.734

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