Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
NTD32N06LG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 32A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.698
NTD32N06LT4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 32A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.780
NTD32N06T4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 32A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1725pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.754
NTD3808N-1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 16V 12A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 16V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 76A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile4.374
NTD3808N-35G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 16V 12A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 16V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 76A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile7.290
NTD3808NT4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 16V 12A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 16V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 76A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile8.892
NTD3813N-1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 16V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.6A (Ta), 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 963pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile4.284
NTD3813N-35G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 16V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.6A (Ta), 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 963pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile7.812
NTD3813NT4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 16V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.6A (Ta), 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 963pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.524
NTD3817N-1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 16V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 702pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile7.920
NTD3817N-35G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 16V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 702pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile2.592
NTD3817NT4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 16V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 702pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.214
NTD40N03R-001 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 45A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile2.988
NTD40N03R-1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile7.830
NTD40N03RG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.020
NTD40N03RT4 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.698
NTD40N03RT4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.902
NTD4302 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.4A (Ta), 68A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.04W (Ta), 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.634
NTD4302-1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8.4A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.4A (Ta), 68A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.04W (Ta), 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile3.562
NTD4302G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.4A (Ta), 68A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.04W (Ta), 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.066
NTD4302T4 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.4A (Ta), 68A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.04W (Ta), 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.004
NTD4302T4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.4A (Ta), 68A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.04W (Ta), 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.544
NTD4804N-1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4490pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.43W (Ta), 107W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile2.448
NTD4804N-35G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4490pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.43W (Ta), 107W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile3.924
NTD4804NA-1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4490pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile4.320
NTD4804NA-35G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4490pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile5.076
NTD4804NAT4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4490pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.140
NTD4804NT4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4490pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.43W (Ta), 107W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.020
NTD4805N-1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12.6A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.7A (Ta), 95A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 11.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.41W (Ta), 79W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile3.330
NTD4805N-35G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12.6A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.7A (Ta), 95A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 11.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.41W (Ta), 79W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile7.920

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