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Record 64.903

Pagina 158/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
2N2905A Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1μA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 800mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39 (TO-205AD)	Disponibile8.046
2N2905A Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 10nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 600mW Frequenza - Transizione: 200MHz Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39	Disponibile78.270
2N2905AL Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1μA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 800mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-5	Disponibile8.784
2N2906 ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 400mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile4.284
2N2906 Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 20nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 1.8W Frequenza - Transizione: 200MHz Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile4.698
2N2906A Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 10nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 1.8W Frequenza - Transizione: 200MHz Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile5.220
2N2906A Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 50nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 500mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile2.592
2N2906A ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 400mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile6.732
2N2906AL Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 50nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 500mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18 (TO-206AA)	Disponibile6.588
2N2906AUA Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 50nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 500mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 4-SMD	Disponibile5.040
2N2906AUB Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 50nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 500mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: UB	Disponibile3.654
2N2907 STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 40V 0.6A TO-18 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 20nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 1.8W Frequenza - Transizione: 200MHz Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile4.860
2N2907 ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 400mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile2.178
2N2907 Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 20nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 1.8W Frequenza - Transizione: 200MHz Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile4.068
2N2907A Micro Commercial Co	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A TO18-2 Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 10nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 400mW Frequenza - Transizione: 200MHz Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile7.884
2N2907A STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 10nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 400mW Frequenza - Transizione: 200MHz Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile5.958
2N2907A ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 400mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile2.682
2N2907A MICROSS/On Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP Produttore: MICROSS/On Semiconductor Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.316
2N2907A Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 10nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 400mW Frequenza - Transizione: 200MHz Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile204.918
2N2907A DL MICROSS/On Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo DIE TRANS PNP MED PWR GP DUAL Produttore: MICROSS/On Semiconductor Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.010
2N2907AE4 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 10µA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 500mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile5.940
2N2907AL Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 50nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 500mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile2.790
2N2907AUA Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 50nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 500mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.520
2N2907AUA TT Electronics/Optek Technology	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A SMD Produttore: TT Electronics/Optek Technology Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 50nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Potenza - Max: 400mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-CLCC Pacchetto dispositivo fornitore: Ceramic SMD	Disponibile2.916
2N2907AUB TT Electronics/Optek Technology	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A SMD Produttore: TT Electronics/Optek Technology Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 50nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Potenza - Max: 300mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-LCC Pacchetto dispositivo fornitore: Ceramic SMD	Disponibile11.352
2N2907AUB Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 50nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max: 500mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: UB	Disponibile13.704
2N2907A W/GOLD Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile2.070
2N2924 Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS NPN 25V TO-92 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 25V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: 160MHz Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92	Disponibile16.908
2N2925 Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS NPN 25V TO-92 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 25V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: 160MHz Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92	Disponibile6.600
2N2944AUB Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 10V 0.1A Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): 10µA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 500mV Potenza - Max: 400mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: UB	Disponibile3.816

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