Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
NP82N03PUG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 82A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 82A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 41A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9080pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 143W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.700
NP82N04NUG-S18-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 82A TO-262 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 82A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 41A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9750pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 143W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile7.038
NP82N04PDG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 82A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 82A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 41A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 143W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.982
NP82N04PUG(1)-E1B-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.492
NP82N055PUG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 82A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 82A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 41A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 143W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.950
NP82N10PUF-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.618
NP83P04PDG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 40V 83A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 83A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 41.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9820pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 150W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.970
NP83P06PDG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 83A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 83A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 41.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 150W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.732
NP84N075KUE-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 84A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 84A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.140
NP84N075KUE-E2-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile8.172
NP88N03KDG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.860
NP88N04KUG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 88A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.916
NP88N04NUG-S18-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 88A TO-262 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile7.542
NP88N055KUG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 88A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.948
NP88N055KUG-E2-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.732
NP88N075KUE-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 88A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 288W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.012
NP88N075KUE-E1-AZ Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile4.644
NP88N075KUE-E2-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile5.490
NP88N075MUE-S18-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 88A TO-220 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 288W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile4.788
NP89N03ZUGP-E1 Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.466
NP89N03ZUGW-U Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.276
NP89N04MUK-S18-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 89A TO-220 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 147W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.934
NP89N04NUK-S18-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 89A TO-220 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 147W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile5.472
NP89N04PUK-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 90A TO-220 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 45A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 147W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.100
NP89N055MUK-S18-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 90A TO-220 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 147W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile2.250
NP89N055NUK-S18-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 90A TO-220 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 147W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile5.562
NP89N055PUK-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 90A TO-220 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 147W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.768
NP90N03VHG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 90A TO-252 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 105W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.394
NP90N03VLG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 90A TO-252 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 105W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.860
NP90N04MUG-S18-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 90A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 217W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile3.870

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