Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Transistor - Unijunction programmabile (26)
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Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
MCH3477-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70FL/MCPH3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile6.282
MCH3477-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70FL/MCPH3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile4.392
MCH3478-S-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 2A 30V MCPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-MCPH Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile4.176
MCH3478-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 2A MCPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-MCPH Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile4.680
MCH3478-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 2A MCPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-MCPH Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile50.610
MCH3478-TL-W-Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.6A SC-70FL Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.186
MCH3479-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.5A MCPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70FL/MCPH3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile2.214
MCH3479-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.5A MCPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70FL/MCPH3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile8.370
MCH3481-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±9V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70FL/MCPH3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile4.338
MCH3481-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±9V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70FL/MCPH3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile8.928
MCH3484-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 2.5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70FL/MCPH3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile8.964
MCH3484-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 2.5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70FL/MCPH3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile6.264
MCH3486-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2A MCPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70FL/MCPH3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile2.484
MCH3486-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2A MCPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70FL/MCPH3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile4.140
MCH5839-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.5A MCPH5 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 266mOhm @ 750mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-MCPH Pacchetto / Custodia: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	Disponibile5.436
MCH5839-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.5A MCPH Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 266mOhm @ 750mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88AFL/MCPH5 Pacchetto / Custodia: 5-SMD, Flat Leads	Disponibile6.120
MCH6320-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 3.5A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile3.114
MCH6320-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 3.5A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88FL/MCPH6 Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile7.056
MCH6321-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile4.680
MCH6321-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile5.886
MCH6331-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 3.5A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile4.986
MCH6331-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 3.5A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile3.996
MCH6331-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 3.5A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88FL/MCPH6 Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile6.300
MCH6336-P-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile8.244
MCH6336-S-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile2.826
MCH6336-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PCH 1.8V DRIVE SERIES Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88FL/MCPH6 Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile5.832
MCH6336-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile4.410
MCH6336-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88FL/MCPH6 Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile5.328
MCH6337-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88FL/MCPH6 Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile3.744
MCH6337-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile5.328

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