Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IXTR40P50P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247 Produttore: IXYS Serie: PolarP™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 312W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS247™ Pacchetto / Custodia: ISOPLUS247™	Disponibile6.390
IXTR48P20P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247 Produttore: IXYS Serie: PolarP™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS247™ Pacchetto / Custodia: ISOPLUS247™	Disponibile8.406
IXTR62N15P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH ISOPLUS-247 Produttore: IXYS Serie: PolarHT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS247™ Pacchetto / Custodia: ISOPLUS247™	Disponibile5.814
IXTR90P10P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247 Produttore: IXYS Serie: PolarP™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 57A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS247™ Pacchetto / Custodia: ISOPLUS247™	Disponibile8.982
IXTR90P20P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247 Produttore: IXYS Serie: PolarP™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 312W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS247™ Pacchetto / Custodia: ISOPLUS247™	Disponibile5.562
IXTT02N450HV IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 4500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 113W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile19.608
IXTT100N25P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 Produttore: IXYS Serie: PolarHT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile4.176
IXTT10N100D IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile3.582
IXTT10N100D2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5320pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 695W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile2.124
IXTT10P50 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.570
IXTT10P60 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.686
IXTT110N10L2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 Produttore: IXYS Serie: Linear L2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.002
IXTT110N10P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 Produttore: IXYS Serie: PolarHT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3550pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.156
IXTT11P50 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile2.952
IXTT120N15P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 Produttore: IXYS Serie: PolarHT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile4.248
IXTT12N140 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3720pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 890W (Tc) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.562
IXTT12N150 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3720pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 890W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.238
IXTT12N150HV IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3720pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 890W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile2.862
IXTT140N10P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 Produttore: IXYS Serie: PolarHT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 140A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile8.046
IXTT140P10T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 140A TO-268 Produttore: IXYS Serie: TrenchP™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 140A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 10V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 31400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 568W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile3.888
IXTT16N10D2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5700pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 830W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.454
IXTT16N20D2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 695W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.416
IXTT16N50D2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8A, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5250pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 695W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.074
IXTT16P20 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 16A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.938
IXTT16P60P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 Produttore: IXYS Serie: PolarP™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 460W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.768
IXTT170N10P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 Produttore: IXYS Serie: Polar™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 715W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.976
IXTT1N100 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.938
IXTT1N250HV IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 2500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.732
IXTT1N300P3HV IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 3000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 895pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 195W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile8.298
IXTT1N450HV IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 4500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile160

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