Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRFR020PBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.184
IRFR020TR Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.084
IRFR020TRL Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.744
IRFR020TRPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile19.932
IRFR020TRR Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.112
IRFR024 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.128
IRFR024NPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.398
IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.050
IRFR024NTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile100.566
IRFR024NTRR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile8.892
IRFR024NTRRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.660
IRFR024PBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.852
IRFR024TR Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.192
IRFR024TRL Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.194
IRFR024TRLPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.992
IRFR024TRPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile29.190
IRFR024TRR Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.274
IRFR1010Z Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2840pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.228
IRFR1010ZPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2840pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.670
IRFR1010ZTRLPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2840pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.544
IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2840pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.790
IRFR1010ZTRRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2840pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.474
IRFR1018EPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 79A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2290pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.698
IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 56A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2290pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile354.168
IRFR1018ETRRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 79A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2290pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.816
IRFR110 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.290
IRFR110PBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.524
IRFR110TR Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile8.622
IRFR110TRL Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.878
IRFR110TRLPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.184

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