Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRFPS35N50LPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 34A SUPER247 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5580pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 450W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia: TO-274AA	Disponibile4.518
IRFPS37N50A Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5579pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 446W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia: TO-274AA	Disponibile8.280
IRFPS37N50APBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PLANAR >= 100V Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5579pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 446W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia: TO-274AA	Disponibile2.772
IRFPS37N50APBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5579pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 446W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia: TO-274AA	Disponibile17.532
IRFPS3810 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6790pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 580W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia: TO-274AA	Disponibile3.816
IRFPS3810PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6790pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 580W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia: TO-274AA	Disponibile41.664
IRFPS3815PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 105A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 63A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6810pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 441W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia: TO-274AA	Disponibile5.490
IRFPS38N60L Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7990pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 540W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia: TO-274AA	Disponibile8.658
IRFPS38N60LPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7990pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 540W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia: TO-274AA	Disponibile2.916
IRFPS40N50L Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8110pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 540W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia: TO-274AA	Disponibile2.988
IRFPS40N50LPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8110pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 540W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia: TO-274AA	Disponibile6.048
IRFPS40N60K Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7970pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 570W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia: TO-274AA	Disponibile8.604
IRFPS40N60KPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7970pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 570W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia: TO-274AA	Disponibile8.244
IRFPS43N50K Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8310pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 540W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia: TO-274AA	Disponibile3.006
IRFPS43N50KPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8310pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 540W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia: TO-274AA	Disponibile12.264
IRFR010 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.168
IRFR010PBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile29.076
IRFR010TR Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.130
IRFR010TRL Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.852
IRFR010TRLPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.520
IRFR010TRPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.796
IRFR010TRR Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile8.748
IRFR014 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.860
IRFR014PBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile51.390
IRFR014TR Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.776
IRFR014TRL Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.374
IRFR014TRLPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile26.538
IRFR014TRPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile29.988
IRFR014TRR Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.466
IRFR020 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.268

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