Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 120/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
BFQ19,115 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 5.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.3dB @ 500MHz Guadagno: - Potenza - Max: 1W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-243AA Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89-3	Disponibile3.436
BFQ 19S E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 5.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz Guadagno: 7dB ~ 11.5dB Potenza - Max: 1W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 210mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-243AA Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT89	Disponibile8.208
BFQ19SH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 5.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB @ 1.8GHz Guadagno: 7dB Potenza - Max: 1W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 120mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-243AA Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89-3	Disponibile2.520
BFQ31ATA Diodes Incorporated	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 600MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Guadagno: - Potenza - Max: 330mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile6.120
BFQ31ATC Diodes Incorporated	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 600MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Guadagno: - Potenza - Max: 330mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile4.716
BFQ540,115 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT89-3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 9GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz Guadagno: - Potenza - Max: 1.2W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 120mA Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-243AA Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89-3	Disponibile2.160
BFQ591,115 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT89-3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 2.25W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200mA Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-243AA Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89-3	Disponibile4.050
BFQ67,215 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Guadagno: - Potenza - Max: 300mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23)	Disponibile2.790
BFQ67W,115 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT323-3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Guadagno: - Potenza - Max: 300mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323-3	Disponibile2.016
BFQ67W,135 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT323-3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Guadagno: - Potenza - Max: 300mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323-3	Disponibile4.752
BFQ790H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 6.1V 1.85GHZ SOT89 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 6.1V Frequenza - Transizione: 1.85GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 2.6dB @ 1.8GHz Guadagno: 17dB Potenza - Max: 1.5W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 300mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-243AA Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89	Disponibile65.484
BFR106,215 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz Guadagno: - Potenza - Max: 500mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 9V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23)	Disponibile7.182
BFR106E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz Guadagno: 8.5dB ~ 13dB Potenza - Max: 700mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 210mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile209.556
BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 18.5dB Potenza - Max: 175mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile8.190
BFR 181 E6780 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 18.5dB Potenza - Max: 175mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile3.492
BFR 181T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 19.5dB Potenza - Max: 175mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile2.592
BFR 181W E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 19dB Potenza - Max: 175mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile7.200
BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 19dB Potenza - Max: 175mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile337.194
BFR 182 B6663 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 12dB ~ 18dB Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile3.150
BFR182E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 12dB ~ 18dB Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile25.008
BFR 182T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 20dB Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile8.118
BFR 182W E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 19dB Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile8.676
BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 19dB Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile27.858
BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 17.5dB Potenza - Max: 450mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 65mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile98.322
BFR 183T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 19.5dB Potenza - Max: 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 15mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 65mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile2.448
BFR 183W E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 18.5dB Potenza - Max: 450mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 65mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile3.672
BFR183WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 18.5dB Potenza - Max: 450mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 65mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile6.174
BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 10dB ~ 15dB Potenza - Max: 580mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile321.858
BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 12.5dB Potenza - Max: 580mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile53.880
BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 12.5dB ~ 19dB Potenza - Max: 580mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-1	Disponibile2.070

«
‹
1
...
117
118
119
120 (current)
121
122
123
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message