Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
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Transistor - Unijunction programmabile (26)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
CSD23285F5 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V Produttore: Serie: FemtoFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 628pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile194.802
CSD23285F5T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET Produttore: Serie: FemtoFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 628pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile133.794
CSD23381F4 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V Vgs (massimo): -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 236pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile1.770.792
CSD23381F4T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR Produttore: Serie: FemtoFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 6V Vgs (massimo): -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 236pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile257.622
CSD23382F4 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR Produttore: Serie: FemtoFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35nC @ 6V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile559.392
CSD23382F4T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR Produttore: Serie: FemtoFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile56.250
CSD25201W15 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 9-DSBGA Pacchetto / Custodia: 9-UFBGA, DSBGA	Disponibile4.662
CSD25202W15 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 9-DSBGA Pacchetto / Custodia: 9-UFBGA, DSBGA	Disponibile1.184
CSD25202W15T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 9-DSBGA Pacchetto / Custodia: 9-UFBGA, DSBGA	Disponibile3.436
CSD25211W1015 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DSBGA (1x1.5) Pacchetto / Custodia: 6-UFBGA, DSBGA	Disponibile3.186
CSD25213W10 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 478pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-DSBGA (1x1) Pacchetto / Custodia: 4-UFBGA, DSBGA	Disponibile15.077
CSD25301W1015 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DSBGA (1x1.5) Pacchetto / Custodia: 6-UFBGA, DSBGA	Disponibile7.002
CSD25302Q2 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 5A 6SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-SON Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile6.228
CSD25303W1015 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DSBGA (1x1.5) Pacchetto / Custodia: 6-UFBGA, DSBGA	Disponibile8.442
CSD25304W1015 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 595pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 750mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DSBGA Pacchetto / Custodia: 6-UFBGA, DSBGA	Disponibile3.150
CSD25304W1015T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 595pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 750mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DSBGA Pacchetto / Custodia: 6-UFBGA, DSBGA	Disponibile23.094
CSD25310Q2 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 48A 6SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.9W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WSON (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad	Disponibile583.746
CSD25310Q2T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.9W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WSON (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad	Disponibile5.616
CSD25401Q3 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.014
CSD25402Q3A Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 76A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.323.998
CSD25404Q3 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 104A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2120pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile121.308
CSD25404Q3T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 104A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2120pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile241.572
CSD25480F3 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.7A PICOSTAR Produttore: Serie: FemtoFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91nC @ 4.5V Vgs (massimo): -12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile145.458
CSD25480F3T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.7A PICOSTAR Produttore: Serie: FemtoFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91nC @ 10V Vgs (massimo): -12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile227.922
CSD25481F4 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.913nC @ 4.5V Vgs (massimo): -12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 189pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile398.736
CSD25481F4T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Produttore: Serie: FemtoFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91nC @ 4.5V Vgs (massimo): -12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 189pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile313.836
CSD25483F4 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V LGA Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.959nC @ 4.5V Vgs (massimo): -12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 198pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile15.337
CSD25483F4T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V LGA Produttore: Serie: FemtoFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96nC @ 4.5V Vgs (massimo): -12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 198pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile55.734
CSD25484F4 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR Produttore: Serie: FemtoFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42nC @ 4.5V Vgs (massimo): -12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile361.212
CSD25484F4T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Produttore: Serie: FemtoFET™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.42nC @ 4.5V Vgs (massimo): -12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PICOSTAR Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile830.982

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