Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
CPC3720C IXYS Integrated Circuits Division	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 350V SOT89 Produttore: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 350V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22Ohm @ 130mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89 Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile2.358
CPC3730C IXYS Integrated Circuits Division	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 350V SOT89 Produttore: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 350V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 140mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89 Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile2.430
CPC3902CTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V TO-243AA Produttore: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89 Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile3.546
CPC3902ZTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V SOT-223 Produttore: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 110°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile6.354
CPC3909CTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V SOT-89 Produttore: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): 15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 110°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89 Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile13.626
CPC3909ZTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V SOT-223 Produttore: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): 15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 110°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile5.598
CPC3960ZTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V SOT-223 Produttore: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44Ohm @ 100mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile22.044
CPC3980ZTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V SOT-223 Produttore: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 100mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile13.662
CPC3982TTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V SOT-23 Produttore: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380Ohm @ 20mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 110°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile24.672
CPC5602CTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223 Produttore: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 350V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile2.754
CPC5603CTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223 Produttore: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 415V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile16.392
CPH3348-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: SC-96	Disponibile2.430
CPH3348-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.534
CPH3350-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.974
CPH3351-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 262pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.552
CPH3351-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 262pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile726.612
CPH3355-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 172pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.644
CPH3355-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 172pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile25.920
CPH3356-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.146
CPH3356-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile58.182
CPH3360-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 303mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 82pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.740
CPH3360-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 303mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 82pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.186
CPH3362-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 0.7A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 700mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 700mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 142pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile55.410
CPH3448-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 4A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: SC-96	Disponibile4.068
CPH3448-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 4A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile84.180
CPH3455-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 35V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 186pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: SC-96	Disponibile4.104
CPH3455-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 35V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 186pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.968
CPH3456-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.986
CPH3456-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile29.394
CPH3457-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CPH Pacchetto / Custodia: SC-96	Disponibile2.700

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