Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSO8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile38.280
BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8 FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile47.886
BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo DIFFERENTIATED MOSFETS Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6020pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 115W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8 FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile51.804
BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6500pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-17 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile211.200
BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo DIFFERENTIATED MOSFETS Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8125pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 188W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8 FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile44.664
BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-7 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile297.756
BSC015NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-6 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.644
BSC016N03LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10000pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.202
BSC016N03MSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.112
BSC016N04LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.290
BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8 FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.752
BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo DIFFERENTIATED MOSFETS Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6500pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8 FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile40.146
BSC017N04NSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile38.490
BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.834
BSC018NE2LSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.942
BSC018NE2LSIATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-6 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.256
BSC019N02KSGAUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.716
BSC019N04LSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.372
BSC019N04LSTATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo DIFFERENTIATED MOSFETS Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.120
BSC019N04NSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.472
BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo DIFFERENTIATED MOSFETS Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5.25nF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 136W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8 FL Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.070
BSC020N025S G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8290pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.006
BSC020N03LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile612.744
BSC020N03LSGATMA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo LV POWER MOS Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.776
BSC020N03MSGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9600pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile45.042
BSC021N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRENCH 40<-<100V Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™, StrongIRFET™ Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSON-8-3 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.716
BSC022N03S Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7490pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.362
BSC022N03SG Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8290pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.236
BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRENCH <= 40V Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 79W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.042
BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-6 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.074

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