Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
AUIRF7734M2TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2545pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ M2 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric M2	Disponibile8.694
AUIRF7736M2TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 108A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4267pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 63W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ M4 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric M4	Disponibile6.210
AUIRF7737L2TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 156A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5469pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.3W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET L6 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric L6	Disponibile8.406
AUIRF7738L2TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), 130A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 109A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7471pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.3W (Ta), 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET L6 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric L6	Disponibile7.434
AUIRF7739L2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET2 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A (Ta), 270A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11880pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET L8 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric L8	Disponibile7.704
AUIRF7739L2TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET2 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A (Ta), 270A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11880pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET L8 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric L8	Disponibile6.948
AUIRF7749L2TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 60V 36A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), 345A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275nC @ 10V Vgs (massimo): 60V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10655pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET L8 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric L8	Disponibile30.480
AUIRF7759L2TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 160A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 375A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12222pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET L8 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric L8	Disponibile3.906
AUIRF7769L2TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 375A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11560pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET L8 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric L8	Disponibile7.092
AUIRF7799L2TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 375A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6714pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 4.3W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET L8 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric L8	Disponibile3.024
AUIRF7805Q Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 30V 13A 8-SO Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.642
AUIRF7805QTR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 30V 13A 8-SO Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.362
AUIRF8736M2TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 137A AUTO Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 137A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 85A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6867pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 63W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ M4 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric M4	Disponibile8.046
AUIRF8739L2TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 545A AUTO Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 57A (Ta), 545A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 195A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562nC @ 10V Vgs (massimo): 40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 17890pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 340W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET L8 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric L8	Disponibile8.874
AUIRF9540N Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile4.662
AUIRF9Z34N Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile17.112
AUIRFB3207 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile7.506
AUIRFB3806 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 71W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.208
AUIRFB4410 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5150pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.696
AUIRFB4610 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 73A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3550pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.586
AUIRFB8405 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5193pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 163W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile151.546
AUIRFB8407 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 230W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile2.250
AUIRFB8409 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14240pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.780
AUIRFBA1405 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 55V 95A SUPER-220 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 101A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5480pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 330W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-220™ (TO-273AA) Pacchetto / Custodia: TO-273AA	Disponibile5.256
AUIRFL014N Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile8.424
AUIRFL014NTR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile7.614
AUIRFL024N Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile8.946
AUIRFL024NTR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile6.894
AUIRFN7107TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3001pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 4.4W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.102
AUIRFN7110TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 100V 58A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 4.3W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.524

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