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Transistor

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Disponibile
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AON7556
AON7556

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 12A

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: AlphaMOS
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 12A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4.1W (Ta), 12.5W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile4.104
AON7566
AON7566

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: AlphaMOS
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile5.634
AON7568
AON7568

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 25A

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 32A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 28W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile4.446
AON7700
AON7700

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: SRFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 40A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4250pF @ 15V
  • Funzione FET: Schottky Diode (Body)
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 26W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile2.520
AON7702
AON7702

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: SRFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), 36A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4250pF @ 15V
  • Funzione FET: Schottky Diode (Body)
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 23W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile7.650
AON7702A_101
AON7702A_101

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: SRFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), 36A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
  • Funzione FET: Schottky Diode (Body)
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 23W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile7.668
AON7702B
AON7702B

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 13.5A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: SRFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), 20A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 15V
  • Funzione FET: Schottky Diode (Body)
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 23W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile2.844
AON7752
AON7752

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 16A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 20W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile4.860
AON7752_101
AON7752_101

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: AlphaMOS
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 16A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 20W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile4.554
AON7754
AON7754

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: AlphaMOS
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 32A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 15V
  • Funzione FET: Schottky Diode (Body)
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 70W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile7.974
AON7758
AON7758

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 75A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: AlphaMOS
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4.2W (Ta), 34W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Disponibile7.866
AON7758_001
AON7758_001

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 75A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: AlphaMOS
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4.2W (Ta), 34W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Disponibile5.688
AON7760
AON7760

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 25V 75A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: AlphaMOS
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 25V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta), 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±16V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5520pF @ 12.5V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4.1W (Ta), 34.5W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Disponibile8.046
AON7764
AON7764

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 32A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: AlphaMOS
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 32A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4.2W (Ta), 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile8.064
AON7784
AON7784

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 31A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: SRFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 50A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 15V
  • Funzione FET: Schottky Diode (Body)
  • Dissipazione di potenza (max): 6.2W (Ta), 83W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Disponibile5.436
AON7788
AON7788

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: SRFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 40A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 15V
  • Funzione FET: Schottky Diode (Body)
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile7.488
AONR21117
AONR21117

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

20V P-CHANNEL MOSFET

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26.5A (Ta), 34A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6560pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 43W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile7.362
AONR21307
AONR21307

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 17A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±25V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 28W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile5.598
AONR21321
AONR21321

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±25V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4.1W (Ta), 24W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile3.870
AONR21357
AONR21357

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 3X3 8DFN EP

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 34A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±25V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2830pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile5.184
AONR32314
AONR32314

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 30A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1420pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4.1W (Ta), 24W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Disponibile4.464
AONR32320
AONR32320

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile2.862
AONR36366
AONR36366

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

30V N-CHANNEL MOSFET

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 34A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1835pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 28W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile2.358
AONR66406
AONR66406

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: AlphaSGT™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 30A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 20V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 27W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (3x3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile6.606
AONR66922
AONR66922

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

100V N-CHANNEL ALPHASGT T

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: AlphaSGT™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 50A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 50V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 4.1W (Ta), 52W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Disponibile2.268
AONS21321
AONS21321

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 24A 5X6 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 24A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±25V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 24.5W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (5x6)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile22.554
AONS21357
AONS21357

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 8DFN 5X6

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 36A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±25V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2830pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 48W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (5x6)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile8.370
AONS32100
AONS32100

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

25V N-CHANNEL MOSFET

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 25V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 73A (Ta), 400A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.73mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 12.5V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 6.2W (Ta), 250W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (5x6)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile5.958
AONS32304
AONS32304

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

30V N-CHANNEL MOSFET

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), 140A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5970pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 6.2W (Ta), 78W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (5x6)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile6.282
AONS36314
AONS36314

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

30V N-CHANNEL MOSFET

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36.5A (Ta), 85A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 6.2W (Ta), 42W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (5x6)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile3.598