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Circuiti integrati di memoria

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Disponibile
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S29GL512P11FAI010
S29GL512P11FAI010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-P
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)
Disponibile8.496
S29GL512P11FAI012
S29GL512P11FAI012

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-P
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)
Disponibile3.564
S29GL512P11FFI010
S29GL512P11FFI010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-P
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)
Disponibile9.957
S29GL512P11FFI020
S29GL512P11FFI020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-P
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)
Disponibile6.262
S29GL512P11TAI010
S29GL512P11TAI010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-P
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile16.441
S29GL512P11TAI020
S29GL512P11TAI020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-P
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile6.426
S29GL512P11TFI010
S29GL512P11TFI010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-P
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile66.645
S29GL512P11TFI020
S29GL512P11TFI020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-P
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile13.878
S29GL512P11TFI020D
S29GL512P11TFI020D

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-P
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile8.568
S29GL512P11TFIV10
S29GL512P11TFIV10

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-P
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile2.268
S29GL512P11TFIV20
S29GL512P11TFIV20

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-P
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 110ns
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile2.142
S29GL512P12FFIV10
S29GL512P12FFIV10

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-P
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (13x11)
Disponibile1.181
S29GL512P12FFIV12
S29GL512P12FFIV12

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-P
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)
Disponibile6.876
S29GL512P12FFIV20
S29GL512P12FFIV20

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-P
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (13x11)
Disponibile4.968
S29GL512P12TFIV10
S29GL512P12TFIV10

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-P
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile2.556
S29GL512S10DHA010
S29GL512S10DHA010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile7.236
S29GL512S10DHA020
S29GL512S10DHA020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile8.280
S29GL512S10DHA023
S29GL512S10DHA023

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile4.428
S29GL512S10DHI010
S29GL512S10DHI010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile1.068
S29GL512S10DHI013
S29GL512S10DHI013

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile6.534
S29GL512S10DHI020
S29GL512S10DHI020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile48.621
S29GL512S10DHI023
S29GL512S10DHI023

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile6.498
S29GL512S10DHSS10
S29GL512S10DHSS10

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile8.640
S29GL512S10DHSS13
S29GL512S10DHSS13

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile4.536
S29GL512S10DHSS20
S29GL512S10DHSS20

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile8.298
S29GL512S10DHSS23
S29GL512S10DHSS23

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile2.034
S29GL512S10DHSS30
S29GL512S10DHSS30

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile3.402
S29GL512S10DHSS33
S29GL512S10DHSS33

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile7.308
S29GL512S10DHSS40
S29GL512S10DHSS40

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile4.446
S29GL512S10DHSS43
S29GL512S10DHSS43

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)
Disponibile4.374