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Circuiti integrati di memoria

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Disponibile
Quantità
70T651S10BFG
70T651S10BFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-FPBGA (15x15)
Disponibile6.768
70T651S10BFGI
70T651S10BFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-FPBGA (15x15)
Disponibile4.770
70T651S10BFGI8
70T651S10BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-FPBGA (15x15)
Disponibile8.046
70T651S10BFI
70T651S10BFI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile8.928
70T651S10BFI8
70T651S10BFI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile8.424
70T651S10DR
70T651S10DR

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-BFQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-PQFP (28x28)
Disponibile4.554
70T651S12BC
70T651S12BC

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile8.118
70T651S12BC8
70T651S12BC8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile7.560
70T651S12BCI
70T651S12BCI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile4.662
70T651S12BCI8
70T651S12BCI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile4.752
70T651S12BF
70T651S12BF

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile3.096
70T651S12BF8
70T651S12BF8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile2.772
70T651S12BFGI
70T651S12BFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile2.100
70T651S12BFGI8
70T651S12BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile4.716
70T651S12BFI
70T651S12BFI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile3.436
70T651S12BFI8
70T651S12BFI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile5.598
70T651S12DR
70T651S12DR

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-BFQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-PQFP (28x28)
Disponibile2.664
70T651S12DRI
70T651S12DRI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-BFQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-PQFP (28x28)
Disponibile5.220
70T651S15BC
70T651S15BC

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile2.268
70T651S15BC8
70T651S15BC8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile8.442
70T651S15BF
70T651S15BF

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile2.916
70T651S15BF8
70T651S15BF8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile3.816
70T651S15DR
70T651S15DR

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-BFQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-PQFP (28x28)
Disponibile7.146
70T653MS10BC
70T653MS10BC

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile3.063
70T653MS10BC8
70T653MS10BC8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile6.084
70T653MS10BCG
70T653MS10BCG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile3.006
70T653MS12BC
70T653MS12BC

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile4.374
70T653MS12BC8
70T653MS12BC8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile4.320
70T653MS12BCGI
70T653MS12BCGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile68
70T653MS12BCI
70T653MS12BCI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile6.072