Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
RM25C64DS-LSNI-T Adesto Technologies	Memoria IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8SOIC Produttore: Adesto Technologies Serie: Mavriq™ Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: CBRAM® Tecnologia: CBRAM Dimensione della memoria: 64kb (32B Page Size) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 20MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100µs, 2.5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile8.028
RM25C64DS-LTAI-B Adesto Technologies	Memoria IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP Produttore: Adesto Technologies Serie: Mavriq™ Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: CBRAM® Tecnologia: CBRAM Dimensione della memoria: 64kb (32B Page Size) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 20MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100µs, 2.5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile6.606
RM25C64DS-LTAI-T Adesto Technologies	Memoria IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP Produttore: Adesto Technologies Serie: Mavriq™ Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: CBRAM® Tecnologia: CBRAM Dimensione della memoria: 64kb (32B Page Size) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 20MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100µs, 2.5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile5.688
RMLV0408EGSA-4S2#AA0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP	Disponibile3.598
RMLV0408EGSA-4S2#AA1 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP	Disponibile7.452
RMLV0408EGSA-4S2#KA0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP	Disponibile4.338
RMLV0408EGSA-4S2#KA1 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP	Disponibile18.456
RMLV0408EGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile8.820
RMLV0408EGSB-4S2#AA1 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile1.627
RMLV0408EGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile2.124
RMLV0408EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile2.466
RMLV0408EGSP-4S2#CA0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP	Disponibile4.032
RMLV0408EGSP-4S2#HA0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP	Disponibile18.120
RMLV0414EGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile5.688
RMLV0414EGSB-4S2#AA1 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile18.504
RMLV0414EGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.870
RMLV0414EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile6.228
RMLV0416EGBG-4S2#AC0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (7.5x8.5)	Disponibile9.336
RMLV0416EGBG-4S2#KC0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (7.5x8.5)	Disponibile12.276
RMLV0416EGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP2	Disponibile3.080
RMLV0416EGSB-4S2#AA1 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP2	Disponibile1.553
RMLV0416EGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP2	Disponibile7.830
RMLV0416EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP2	Disponibile3.852
RMLV0808BGBG-4S2#AC0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (7.5x8.5)	Disponibile5.076
RMLV0808BGBG-4S2#KC0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (7.5x8.5)	Disponibile5.760
RMLV0808BGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile6.096
RMLV0808BGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.474
RMLV0816BGBG-4S2#AC0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (7.5x8.5)	Disponibile6.912
RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (7.5x8.5)	Disponibile8.802
RMLV0816BGSA-4S2#AA0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I	Disponibile14.976

RM25C64DS-LSNI-T

Adesto Technologies

Memoria

IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8SOIC

Produttore: Adesto Technologies
Serie: Mavriq™
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: CBRAM®
Tecnologia: CBRAM
Dimensione della memoria: 64kb (32B Page Size)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100µs, 2.5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile8.028

RM25C64DS-LTAI-B

Adesto Technologies

Memoria

IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP

Produttore: Adesto Technologies
Serie: Mavriq™
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: CBRAM®
Tecnologia: CBRAM
Dimensione della memoria: 64kb (32B Page Size)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100µs, 2.5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP

Disponibile6.606

RM25C64DS-LTAI-T

Adesto Technologies

Memoria

IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP

Produttore: Adesto Technologies
Serie: Mavriq™
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: CBRAM®
Tecnologia: CBRAM
Dimensione della memoria: 64kb (32B Page Size)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100µs, 2.5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP

Disponibile5.688

RMLV0408EGSA-4S2#AA0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP

Disponibile3.598

RMLV0408EGSA-4S2#AA1

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP

Disponibile7.452

RMLV0408EGSA-4S2#KA0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP

Disponibile4.338

RMLV0408EGSA-4S2#KA1

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP

Disponibile18.456

RMLV0408EGSB-4S2#AA0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile8.820

RMLV0408EGSB-4S2#AA1

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile1.627

RMLV0408EGSB-4S2#HA0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile2.124

RMLV0408EGSB-4S2#HA1

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile2.466

RMLV0408EGSP-4S2#CA0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP

Disponibile4.032

RMLV0408EGSP-4S2#HA0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP

Disponibile18.120

RMLV0414EGSB-4S2#AA0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile5.688

RMLV0414EGSB-4S2#AA1

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile18.504

RMLV0414EGSB-4S2#HA0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.870

RMLV0414EGSB-4S2#HA1

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile6.228

RMLV0416EGBG-4S2#AC0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (7.5x8.5)

Disponibile9.336

RMLV0416EGBG-4S2#KC0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (7.5x8.5)

Disponibile12.276

RMLV0416EGSB-4S2#AA0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP2

Disponibile3.080

RMLV0416EGSB-4S2#AA1

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP2

Disponibile1.553

RMLV0416EGSB-4S2#HA0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP2

Disponibile7.830

RMLV0416EGSB-4S2#HA1

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP2

Disponibile3.852

RMLV0808BGBG-4S2#AC0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (7.5x8.5)

Disponibile5.076

RMLV0808BGBG-4S2#KC0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (7.5x8.5)

Disponibile5.760

RMLV0808BGSB-4S2#AA0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile6.096

RMLV0808BGSB-4S2#HA0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.474

RMLV0816BGBG-4S2#AC0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (7.5x8.5)

Disponibile6.912

RMLV0816BGBG-4S2#KC0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (7.5x8.5)

Disponibile8.802

RMLV0816BGSA-4S2#AA0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

Disponibile14.976

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