Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 32G 933MHZ FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR3 Dimensione della memoria: 32Gb (512M x 64) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.2V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 253-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 253-VFBGA (11x11.5)	Disponibile8.082
MT52L768M32D3PU-107 WT:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 24G 933MHZ FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR3 Dimensione della memoria: 24Gb (768M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.2V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)	Disponibile6.930
MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 24G 933MHZ 168WFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR3 Dimensione della memoria: 24Gb (768M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.2V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)	Disponibile6.066
MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 24G 933MHZ 168WFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR3 Dimensione della memoria: 24Gb (768M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.2V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)	Disponibile9.419
MT52L8DBQC-DC Micron Technology Inc.	Memoria SPECIAL/CUSTOM LPDDR3 Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.984
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 32Gb (1G x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1866MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-VFBGA (10x14.5)	Disponibile5.508
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 32Gb (1G x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1866MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-VFBGA (10x14.5)	Disponibile4.806
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 32Gb (1G x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-VFBGA (10x14.5)	Disponibile8.190
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 32Gb (1G x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-VFBGA (10x14.5)	Disponibile6.552
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 32Gb (1G x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-VFBGA (10x14.5)	Disponibile4.104
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 32Gb (1G x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-VFBGA (10x14.5)	Disponibile4.482
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 64G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 64Gb (1G x 64) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.230
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 64G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 64Gb (1G x 64) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.312
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 64G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 64Gb (1G x 64) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.462
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 64G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 64Gb (1G x 64) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.010
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G 1866MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1866MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)	Disponibile3.816
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G 1866MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1866MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)	Disponibile6.084
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)	Disponibile13.938
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)	Disponibile2.970
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)	Disponibile10.476
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)	Disponibile2.646
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)	Disponibile3.582
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)	Disponibile4.266
MT53B128M32D1DS-062 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 4G FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1.6GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.222
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)	Disponibile6.714
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)	Disponibile5.292
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)	Disponibile8.604
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)	Disponibile7.956
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)	Disponibile8.010
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G 1600MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)	Disponibile5.364

MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 32G 933MHZ FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR3
Dimensione della memoria: 32Gb (512M x 64)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.2V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 253-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 253-VFBGA (11x11.5)

Disponibile8.082

MT52L768M32D3PU-107 WT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 24G 933MHZ FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR3
Dimensione della memoria: 24Gb (768M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.2V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)

Disponibile6.930

MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 24G 933MHZ 168WFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR3
Dimensione della memoria: 24Gb (768M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.2V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)

Disponibile6.066

MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 24G 933MHZ 168WFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR3
Dimensione della memoria: 24Gb (768M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.2V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)

Disponibile9.419

MT52L8DBQC-DC

Micron Technology Inc.

Memoria

SPECIAL/CUSTOM LPDDR3

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: *
Tipo di memoria: -
Formato memoria: -
Tecnologia: -
Dimensione della memoria: -
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile6.984

MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 32Gb (1G x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1866MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-VFBGA (10x14.5)

Disponibile5.508

MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 32Gb (1G x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1866MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-VFBGA (10x14.5)

Disponibile4.806

MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 32Gb (1G x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-VFBGA (10x14.5)

Disponibile8.190

MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 32Gb (1G x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-VFBGA (10x14.5)

Disponibile6.552

MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 32Gb (1G x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-VFBGA (10x14.5)

Disponibile4.104

MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 32Gb (1G x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-VFBGA (10x14.5)

Disponibile4.482

MT53B1024M64D8PM-062 WT:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 64Gb (1G x 64)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile4.230

MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 64Gb (1G x 64)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile3.312

MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 64Gb (1G x 64)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile6.462

MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 64Gb (1G x 64)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile8.010

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G 1866MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1866MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)

Disponibile3.816

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G 1866MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1866MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)

Disponibile6.084

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)

Disponibile13.938

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)

Disponibile2.970

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)

Disponibile10.476

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)

Disponibile2.646

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)

Disponibile3.582

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)

Disponibile4.266

MT53B128M32D1DS-062 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM LPDDR4 4G FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1.6GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile3.222

MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)

Disponibile6.714

MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)

Disponibile5.292

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)

Disponibile8.604

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)

Disponibile7.956

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)

Disponibile8.010

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G 1600MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: 1600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 200-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 200-WFBGA (10x14.5)

Disponibile5.364

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