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MT49H32M18BM-18:B
MT49H32M18BM-18:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 533MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile7.470
MT49H32M18BM-18:B TR
MT49H32M18BM-18:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 533MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile7.056
MT49H32M18BM-25:B
MT49H32M18BM-25:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile2.592
MT49H32M18BM-25:B TR
MT49H32M18BM-25:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile4.050
MT49H32M18BM-25E:B
MT49H32M18BM-25E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile8.982
MT49H32M18BM-25E:B TR
MT49H32M18BM-25E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile8.118
MT49H32M18BM-33:B
MT49H32M18BM-33:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 300MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile2.330
MT49H32M18BM-33:B TR
MT49H32M18BM-33:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 300MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile3.996
MT49H32M18CBM-18:B
MT49H32M18CBM-18:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 533MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile507
MT49H32M18CBM-18:B TR
MT49H32M18CBM-18:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 533MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile3.726
MT49H32M18CBM-25 IT:B
MT49H32M18CBM-25 IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile5.256
MT49H32M18CBM-25 IT:B TR
MT49H32M18CBM-25 IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile6.354
MT49H32M18CFM-18:B
MT49H32M18CFM-18:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 533MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile6.282
MT49H32M18CFM-18:B TR
MT49H32M18CFM-18:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 533MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile4.734
MT49H32M18CFM-25:B
MT49H32M18CFM-25:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile5.832
MT49H32M18CFM-25:B TR
MT49H32M18CFM-25:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile5.778
MT49H32M18CFM-25E:B
MT49H32M18CFM-25E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile8.496
MT49H32M18CFM-25E:B TR
MT49H32M18CFM-25E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile8.154
MT49H32M18CSJ-18:B
MT49H32M18CSJ-18:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 533MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FBGA (18.5x11)
Disponibile8.982
MT49H32M18CSJ-18:B TR
MT49H32M18CSJ-18:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 533MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FBGA (18.5x11)
Disponibile5.724
MT49H32M18CSJ-25E:B
MT49H32M18CSJ-25E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FBGA (18.5x11)
Disponibile4.986
MT49H32M18CSJ-25E:B TR
MT49H32M18CSJ-25E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FBGA (18.5x11)
Disponibile8.028
MT49H32M18CSJ-25E IT:B
MT49H32M18CSJ-25E IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FBGA (18.5x11)
Disponibile2.016
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-FBGA (18.5x11)
Disponibile8.784
MT49H32M18FM-25:B
MT49H32M18FM-25:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile8.892
MT49H32M18FM-25:B TR
MT49H32M18FM-25:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile2.106
MT49H32M18FM-25E:B
MT49H32M18FM-25E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile2.250
MT49H32M18FM-25E:B TR
MT49H32M18FM-25E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile8.082
MT49H32M18FM-33:B
MT49H32M18FM-33:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 300MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile13.976
MT49H32M18FM-33:B TR
MT49H32M18FM-33:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: DRAM
  • Dimensione della memoria: 576Mb (32M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 300MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 144-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 144-µBGA (18.5x11)
Disponibile8.244