Circuiti integrati di memoria

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MT46V64M8CV-5B:J TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)	Disponibile6.624
MT46V64M8CY-5B AIT:J Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)	Disponibile3.276
MT46V64M8CY-5B AIT:J TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)	Disponibile6.264
MT46V64M8CY-5B IT:J Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)	Disponibile4.068
MT46V64M8CY-5B IT:J TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)	Disponibile3.006
MT46V64M8CY-5B:J Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)	Disponibile4.014
MT46V64M8CY-5B:J TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)	Disponibile4.518
MT46V64M8CY-5B L:J Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)	Disponibile6.678
MT46V64M8CY-5B L:J TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)	Disponibile7.884
MT46V64M8FN-5B:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)	Disponibile8.946
MT46V64M8FN-6:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)	Disponibile8.154
MT46V64M8FN-6:F TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)	Disponibile4.716
MT46V64M8FN-6 IT:F Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)	Disponibile8.586
MT46V64M8FN-6 IT:F TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)	Disponibile5.292
MT46V64M8FN-75:D Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 750ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)	Disponibile2.844
MT46V64M8FN-75:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 750ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)	Disponibile8.730
MT46V64M8FN-75 IT:D Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 750ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)	Disponibile5.418
MT46V64M8FN-75 IT:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 750ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)	Disponibile8.208
MT46V64M8FN-75 L:D Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 750ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)	Disponibile4.158
MT46V64M8FN-75 L:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 750ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)	Disponibile8.694
MT46V64M8P-5B AIT:J Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile2.826
MT46V64M8P-5B AIT:J TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile3.654
MT46V64M8P-5B:D Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile5.634
MT46V64M8P-5B:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile2.718
MT46V64M8P-5B:F Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile5.567
MT46V64M8P-5B:F TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile2.430
MT46V64M8P-5B IT:J Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile4.482
MT46V64M8P-5B IT:J TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile6.426
MT46V64M8P-5B:J Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile7.961
MT46V64M8P-5B:J TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile5.994

MT46V64M8CV-5B:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)

Disponibile6.624

MT46V64M8CY-5B AIT:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)

Disponibile3.276

MT46V64M8CY-5B AIT:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)

Disponibile6.264

MT46V64M8CY-5B IT:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)

Disponibile4.068

MT46V64M8CY-5B IT:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)

Disponibile3.006

MT46V64M8CY-5B:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)

Disponibile4.014

MT46V64M8CY-5B:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)

Disponibile4.518

MT46V64M8CY-5B L:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)

Disponibile6.678

MT46V64M8CY-5B L:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)

Disponibile7.884

MT46V64M8FN-5B:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)

Disponibile8.946

MT46V64M8FN-6:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)

Disponibile8.154

MT46V64M8FN-6:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)

Disponibile4.716

MT46V64M8FN-6 IT:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)

Disponibile8.586

MT46V64M8FN-6 IT:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)

Disponibile5.292

MT46V64M8FN-75:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 750ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)

Disponibile2.844

MT46V64M8FN-75:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 750ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)

Disponibile8.730

MT46V64M8FN-75 IT:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 750ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)

Disponibile5.418

MT46V64M8FN-75 IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 750ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)

Disponibile8.208

MT46V64M8FN-75 L:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 750ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)

Disponibile4.158

MT46V64M8FN-75 L:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 750ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)

Disponibile8.694

MT46V64M8P-5B AIT:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile2.826

MT46V64M8P-5B AIT:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile3.654

MT46V64M8P-5B:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile5.634

MT46V64M8P-5B:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile2.718

MT46V64M8P-5B:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile5.567

MT46V64M8P-5B:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile2.430

MT46V64M8P-5B IT:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile4.482

MT46V64M8P-5B IT:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile6.426

MT46V64M8P-5B:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile7.961

MT46V64M8P-5B:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile5.994

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