Diodi e raddrizzatori

BAT 15-02LS E6327

Infineon Technologies

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V TSSLP-2

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 110mA
• Capacità @ Vr, F: -
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: -
• Pacchetto / Custodia: 0201 (0603 Metric)
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSSLP-2

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BAT1503WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOD323-2

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 110mA
• Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): 100mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOD323-2

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BAT1504RE6152HTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 110mA
• Capacità @ Vr, F: 0.25pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 18Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

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BAT1504RE6327HTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 110mA
• Capacità @ Vr, F: 0.25pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 18Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

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BAT1504WE6327BTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 110mA
• Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): 100mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3

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BAT1504WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 110mA
• Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): 100mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3

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BAT1505WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Common Cathode
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 110mA
• Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): 100mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3

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BAT1505WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Common Cathode
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 110mA
• Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): 100mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3

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BAT15099E6327HTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 2 Independent
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 110mA
• Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): 100mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-253-4, TO-253AA
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT143-4

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BAT15099E6433HTMA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 2 Independent
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 110mA
• Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): 100mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-253-4, TO-253AA
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT143-4

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BAT 15-099LRH E6327

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP-4-7

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 2 Independent
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 110mA
• Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): 100mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: 4-XFDFN
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-4-7

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BAT15099RE6327HTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Bridge
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 110mA
• Capacità @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): 100mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-253-4, TO-253AA
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT143-4

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BAT1704E6327HTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 130mA
• Capacità @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Dissipazione di potenza (max): 150mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

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BAT1704WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 130mA
• Capacità @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Dissipazione di potenza (max): 150mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3

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BAT1704WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 130mA
• Capacità @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Dissipazione di potenza (max): 150mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3

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BAT1705E6327HTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Common Cathode
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 130mA
• Capacità @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Dissipazione di potenza (max): 150mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

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BAT1705WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Common Cathode
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 130mA
• Capacità @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Dissipazione di potenza (max): 150mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3

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BAT1705WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Common Cathode
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 130mA
• Capacità @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Dissipazione di potenza (max): 150mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3

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BAT1706WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Common Anode
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 130mA
• Capacità @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Dissipazione di potenza (max): 150mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3

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BAT1706WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Common Anode
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 130mA
• Capacità @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Dissipazione di potenza (max): 150mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3

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BAT1707E6327HTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT143-4

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 2 Independent
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 130mA
• Capacità @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Dissipazione di potenza (max): 150mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-253-4, TO-253AA
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT143-4

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BAT17,215

Nexperia

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V TO236AB

• Produttore: Nexperia USA Inc.
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 30mA
• Capacità @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 1kHz
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 100°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB

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BAT17,235

Nexperia

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V TO236AB

• Produttore: Nexperia USA Inc.
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 30mA
• Capacità @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 1kHz
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 100°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB

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BAT17E6327HTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 130mA
• Capacità @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Dissipazione di potenza (max): 150mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

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BAT18,215

NXP

Diodi - RF

RF DIODE STANDARD 35V TO236AB

• Produttore: NXP USA Inc.
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 35V
• Corrente - Max: 100mA
• Capacità @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 700mOhm @ 5mA, 200MHz
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 125°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23)

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BAT18,235

NXP

Diodi - RF

RF DIODE STANDARD 35V TO236AB

• Produttore: NXP USA Inc.
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 35V
• Corrente - Max: 100mA
• Capacità @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 700mOhm @ 5mA, 200MHz
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 125°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23)

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BAT2402LSE6327XTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP-2

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 110mA
• Capacità @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): 100mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: 0201 (0603 Metric)
• Pacchetto dispositivo fornitore: TSSLP-2-1

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BAT6202LE6327XTMA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 40V 100MW TSLP-2

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 40V
• Corrente - Max: 20mA
• Capacità @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): 100mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SOD-882
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-2

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BAT6202LSE6327XTSA1

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 40V 100MW TSSLP-2

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 40V
• Corrente - Max: 20mA
• Capacità @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): 100mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: 0201 (0603 Metric)
• Pacchetto dispositivo fornitore: TSSLP-2-1

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BAT 62-02W E6327

Infineon Technologies

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SCD80

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 40V
• Corrente - Max: 20mA
• Capacità @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): 100mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SC-80
• Pacchetto dispositivo fornitore: SCD-80

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