ZXMN2A05N8TA
Solo per riferimento
| Numero parte | ZXMN2A05N8TA |
| PNEDA Part # | ZXMN2A05N8TA |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.280 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
ZXMN2A05N8TA Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | ZXMN2A05N8TA |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- ZXMN2A05N8TA Datasheet
- where to find ZXMN2A05N8TA
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated ZXMN2A05N8TA
- ZXMN2A05N8TA PDF Datasheet
- ZXMN2A05N8TA Stock
- ZXMN2A05N8TA Pinout
- Datasheet ZXMN2A05N8TA
- ZXMN2A05N8TA Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- ZXMN2A05N8TA Price
- ZXMN2A05N8TA Distributor
ZXMN2A05N8TA Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N-Channel Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss) 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 72A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 27A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 13.3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 131nC @ 18V Vgs (massimo) +22V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2222pF @ 800V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 339W Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247N Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie π-MOSVII Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220SIS Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore IXYS Serie HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5230pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 540W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-268 Pacchetto / Custodia TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Produttore ON Semiconductor Serie QFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8Ohm @ 700mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 7W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
