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ZXMC4A16DN8TC

ZXMC4A16DN8TC

Solo per riferimento

Numero parte ZXMC4A16DN8TC
PNEDA Part # ZXMC4A16DN8TC
Descrizione MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.884
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXMC4A16DN8TC Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXMC4A16DN8TC
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ZXMC4A16DN8TC, ZXMC4A16DN8TC Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 187,17 KB)
PDFZXMC4A16DN8TA Datasheet Copertura
ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 2 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 3 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 4 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 5 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 6 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 7 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 8 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 9 ZXMC4A16DN8TA Datasheet Pagina 10

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  • ZXMC4A16DN8TC Distributor

ZXMC4A16DN8TC Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel Complementary
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.2A (Ta), 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250mA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
Potenza - Max2.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

775mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 8V

Potenza - Max

270mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

TPS1120DR

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

15V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.45nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

840mW

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

NVMFD5C668NLWFT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTM50A15FT1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5448pF @ 25V

Potenza - Max

208W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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