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ZXMC3AM832TA

ZXMC3AM832TA

Solo per riferimento

Numero parte ZXMC3AM832TA
PNEDA Part # ZXMC3AM832TA
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 12.936
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXMC3AM832TA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXMC3AM832TA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ZXMC3AM832TA, ZXMC3AM832TA Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 264,63 KB)
PDFZXMC3AM832TA Datasheet Copertura
ZXMC3AM832TA Datasheet Pagina 2 ZXMC3AM832TA Datasheet Pagina 3 ZXMC3AM832TA Datasheet Pagina 4 ZXMC3AM832TA Datasheet Pagina 5 ZXMC3AM832TA Datasheet Pagina 6 ZXMC3AM832TA Datasheet Pagina 7 ZXMC3AM832TA Datasheet Pagina 8 ZXMC3AM832TA Datasheet Pagina 9 ZXMC3AM832TA Datasheet Pagina 10

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ZXMC3AM832TA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 25V
Potenza - Max1.7W
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-MLP (3x3)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

86A, 303A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.75mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1735pF @ 13V

Potenza - Max

156W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-PowerWFQFN

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PQFN (6x6)

NTLJD3183CZTAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A, 2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

355pF @ 10V

Potenza - Max

710mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WDFN (2x2)

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

17-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V, 45nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V

Potenza - Max

27W (Tc), 48W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc), 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

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