XBR12A10-G
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| Numero parte | XBR12A10-G |
| PNEDA Part # | XBR12A10-G |
| Descrizione | DIODE SINGLE PHASE BRIDGE RECT |
| Produttore | Torex Semiconductor Ltd |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.010 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | set 26 - ott 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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XBR12A10-G Risorse
| Brand | Torex Semiconductor Ltd |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | XBR12A10-G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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XBR12A10-G Specifiche
| Produttore | Torex Semiconductor Ltd |
| Serie | * |
| Configurazione diodi | - |
| Tipo di diodo | - |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | - |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220AB |
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