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WNS20H100CQ

WNS20H100CQ

Solo per riferimento

Numero parte WNS20H100CQ
PNEDA Part # WNS20H100CQ
Descrizione DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220E
Produttore WeEn Semiconductors
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.146
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

WNS20H100CQ Risorse

Brand WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteWNS20H100CQ
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
WNS20H100CQ, WNS20H100CQ Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 283,84 KB)
PDFWNS20H100CQ Datasheet Copertura
WNS20H100CQ Datasheet Pagina 2 WNS20H100CQ Datasheet Pagina 3 WNS20H100CQ Datasheet Pagina 4 WNS20H100CQ Datasheet Pagina 5 WNS20H100CQ Datasheet Pagina 6 WNS20H100CQ Datasheet Pagina 7 WNS20H100CQ Datasheet Pagina 8 WNS20H100CQ Datasheet Pagina 9 WNS20H100CQ Datasheet Pagina 10 WNS20H100CQ Datasheet Pagina 11

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WNS20H100CQ Specifiche

ProduttoreWeEn Semiconductors
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If750mV @ 10A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr50µA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione150°C (Max)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220E

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Configurazione diodi

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

250A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50mA @ 1600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

3-MAGN-A-PAK™

Pacchetto dispositivo fornitore

MAGN-A-PAK®

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Configurazione diodi

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MBR20045CT

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 100A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Twin Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Twin Tower

MBRT50080

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

500A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 250A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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TMBS®

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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