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W9751G6KB25I TR

W9751G6KB25I TR

Solo per riferimento

Numero parte W9751G6KB25I TR
PNEDA Part # W9751G6KB25I-TR
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.554
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W9751G6KB25I TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW9751G6KB25I TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W9751G6KB25I TR, W9751G6KB25I TR Datasheet (Totale pagine: 87, Dimensioni: 1.099,22 KB)
PDFW9751G6KB25I TR Datasheet Copertura
W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 2 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 3 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 4 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 5 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 6 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 7 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 8 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 9 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 10 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 11

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W9751G6KB25I TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso400ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore84-WBGA (8x12.5)

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Produttore

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (13x11)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

PSRAM

Tecnologia

PSRAM (Pseudo SRAM)

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-VFBGA (6x8)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FS-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-BGA (6x8)

7008L20PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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