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W9751G6KB-25 TR

W9751G6KB-25 TR

Solo per riferimento

Numero parte W9751G6KB-25 TR
PNEDA Part # W9751G6KB-25-TR
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.716
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W9751G6KB-25 TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW9751G6KB-25 TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W9751G6KB-25 TR, W9751G6KB-25 TR Datasheet (Totale pagine: 87, Dimensioni: 1.099,22 KB)
PDFW9751G6KB25I TR Datasheet Copertura
W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 2 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 3 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 4 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 5 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 6 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 7 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 8 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 9 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 10 W9751G6KB25I TR Datasheet Pagina 11

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W9751G6KB-25 TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso400ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore84-WBGA (8x12.5)

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Micron Technology Inc.

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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Frequenza di clock

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

S29GL064N11TFIV13

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-N

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Interfaccia di memoria

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

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Temperatura di esercizio

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