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W9425G6JB-5I TR

W9425G6JB-5I TR

Solo per riferimento

Numero parte W9425G6JB-5I TR
PNEDA Part # W9425G6JB-5I-TR
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.618
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W9425G6JB-5I TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW9425G6JB-5I TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W9425G6JB-5I TR, W9425G6JB-5I TR Datasheet (Totale pagine: 50, Dimensioni: 1.913,83 KB)
PDFW9425G6JB-5I Datasheet Copertura
W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 2 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 3 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 4 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 5 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 6 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 7 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 8 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 9 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 10 W9425G6JB-5I Datasheet Pagina 11

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W9425G6JB-5I TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR
Dimensione della memoria256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore60-TFBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Gb (8G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

83MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

100-VBGA (12x18)

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

125MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-VFBGA (8x8)

IS62WV51216ALL-70BI-TR

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

8Mb (512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-miniBGA (6x8)

M25PE40-VMN6TP TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

75MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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