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W632GU6KB12I TR

W632GU6KB12I TR

Solo per riferimento

Numero parte W632GU6KB12I TR
PNEDA Part # W632GU6KB12I-TR
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.222
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W632GU6KB12I TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW632GU6KB12I TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W632GU6KB12I TR, W632GU6KB12I TR Datasheet (Totale pagine: 160, Dimensioni: 5.667,86 KB)
PDFW632GU6KB12J Datasheet Copertura
W632GU6KB12J Datasheet Pagina 2 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 3 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 4 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 5 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 6 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 7 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 8 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 9 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 10 W632GU6KB12J Datasheet Pagina 11

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W632GU6KB12I TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-WBGA (9x13)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT29F1G16ABCHC-ET:C TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA

CG8304AA

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

24LC01B-I/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

3500ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

CAT93C66VP2I-GT3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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