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W632GG6AB-12

W632GG6AB-12

Solo per riferimento

Numero parte W632GG6AB-12
PNEDA Part # W632GG6AB-12
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.642
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W632GG6AB-12 Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW632GG6AB-12
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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W632GG6AB-12 Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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-

Tipo di memoria

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Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

800µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (8x6)

SST39VF802C-70-4I-EKE

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

SST25VF040B-80-4I-QAE

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST25

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x5)

CY7C1325S-100AXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.4ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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