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W25Q80BVSNIG

W25Q80BVSNIG

Solo per riferimento

Numero parte W25Q80BVSNIG
PNEDA Part # W25Q80BVSNIG
Descrizione IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 95.687
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25Q80BVSNIG Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25Q80BVSNIG
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25Q80BVSNIG, W25Q80BVSNIG Datasheet (Totale pagine: 74, Dimensioni: 1.113,47 KB)
PDFW25Q80BVSSIG TR Datasheet Copertura
W25Q80BVSSIG TR Datasheet Pagina 2 W25Q80BVSSIG TR Datasheet Pagina 3 W25Q80BVSSIG TR Datasheet Pagina 4 W25Q80BVSSIG TR Datasheet Pagina 5 W25Q80BVSSIG TR Datasheet Pagina 6 W25Q80BVSSIG TR Datasheet Pagina 7 W25Q80BVSSIG TR Datasheet Pagina 8 W25Q80BVSSIG TR Datasheet Pagina 9 W25Q80BVSSIG TR Datasheet Pagina 10 W25Q80BVSSIG TR Datasheet Pagina 11

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W25Q80BVSNIG Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Micron Technology Inc.

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Microchip Technology

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1.5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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