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W25Q80BLSVIG TR

W25Q80BLSVIG TR

Solo per riferimento

Numero parte W25Q80BLSVIG TR
PNEDA Part # W25Q80BLSVIG-TR
Descrizione IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.562
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25Q80BLSVIG TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25Q80BLSVIG TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25Q80BLSVIG TR, W25Q80BLSVIG TR Datasheet (Totale pagine: 74, Dimensioni: 2.791,97 KB)
PDFW25Q80BLSVIG Datasheet Copertura
W25Q80BLSVIG Datasheet Pagina 2 W25Q80BLSVIG Datasheet Pagina 3 W25Q80BLSVIG Datasheet Pagina 4 W25Q80BLSVIG Datasheet Pagina 5 W25Q80BLSVIG Datasheet Pagina 6 W25Q80BLSVIG Datasheet Pagina 7 W25Q80BLSVIG Datasheet Pagina 8 W25Q80BLSVIG Datasheet Pagina 9 W25Q80BLSVIG Datasheet Pagina 10 W25Q80BLSVIG Datasheet Pagina 11

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W25Q80BLSVIG TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock80MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina800µs
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-VSOP

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.8ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

30µs, 1.5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile

Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

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