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W25Q64FVZPIG TR

W25Q64FVZPIG TR

Solo per riferimento

Numero parte W25Q64FVZPIG TR
PNEDA Part # W25Q64FVZPIG-TR
Descrizione IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.886
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25Q64FVZPIG TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25Q64FVZPIG TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25Q64FVZPIG TR, W25Q64FVZPIG TR Datasheet (Totale pagine: 92, Dimensioni: 1.914,95 KB)
PDFW25Q64FVZPJQ Datasheet Copertura
W25Q64FVZPJQ Datasheet Pagina 2 W25Q64FVZPJQ Datasheet Pagina 3 W25Q64FVZPJQ Datasheet Pagina 4 W25Q64FVZPJQ Datasheet Pagina 5 W25Q64FVZPJQ Datasheet Pagina 6 W25Q64FVZPJQ Datasheet Pagina 7 W25Q64FVZPJQ Datasheet Pagina 8 W25Q64FVZPJQ Datasheet Pagina 9 W25Q64FVZPJQ Datasheet Pagina 10 W25Q64FVZPJQ Datasheet Pagina 11

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W25Q64FVZPIG TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria64Mb (8M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O, QPI
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina50µs, 3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-WSON (6x5)

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Produttore

Microchip Technology

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOIC

MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

128Gb (16G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IS41LV16105B-60KLI

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM - FP

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

30ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

42-SOJ

Produttore

Macronix

Serie

MX29GL

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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