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W25Q32BVSFJG TR

W25Q32BVSFJG TR

Solo per riferimento

Numero parte W25Q32BVSFJG TR
PNEDA Part # W25Q32BVSFJG-TR
Descrizione IC FLASH MEMORY 32MB
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.940
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 16 - mar 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25Q32BVSFJG TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25Q32BVSFJG TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25Q32BVSFJG TR, W25Q32BVSFJG TR Datasheet (Totale pagine: 78, Dimensioni: 1.092,81 KB)
PDFW25Q32BVZPJP Datasheet Copertura
W25Q32BVZPJP Datasheet Pagina 2 W25Q32BVZPJP Datasheet Pagina 3 W25Q32BVZPJP Datasheet Pagina 4 W25Q32BVZPJP Datasheet Pagina 5 W25Q32BVZPJP Datasheet Pagina 6 W25Q32BVZPJP Datasheet Pagina 7 W25Q32BVZPJP Datasheet Pagina 8 W25Q32BVZPJP Datasheet Pagina 9 W25Q32BVZPJP Datasheet Pagina 10 W25Q32BVZPJP Datasheet Pagina 11

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  • W25Q32BVSFJG TR Distributor

W25Q32BVSFJG TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria32Mb (4M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina50µs, 3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SOIC

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

36Mb (4M x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

AT25128-10UI-2.7

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-dBGA (3.73x2.21)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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