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W25Q256FVCIP TR

W25Q256FVCIP TR

Solo per riferimento

Numero parte W25Q256FVCIP TR
PNEDA Part # W25Q256FVCIP-TR
Descrizione IC FLASH 256M SPI 24TFBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.974
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25Q256FVCIP TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25Q256FVCIP TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25Q256FVCIP TR, W25Q256FVCIP TR Datasheet (Totale pagine: 108, Dimensioni: 1.093,92 KB)
PDFW25Q256FVEIP Datasheet Copertura
W25Q256FVEIP Datasheet Pagina 2 W25Q256FVEIP Datasheet Pagina 3 W25Q256FVEIP Datasheet Pagina 4 W25Q256FVEIP Datasheet Pagina 5 W25Q256FVEIP Datasheet Pagina 6 W25Q256FVEIP Datasheet Pagina 7 W25Q256FVEIP Datasheet Pagina 8 W25Q256FVEIP Datasheet Pagina 9 W25Q256FVEIP Datasheet Pagina 10 W25Q256FVEIP Datasheet Pagina 11

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  • W25Q256FVCIP TR Distributor

W25Q256FVCIP TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O, QPI
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina50µs, 3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia24-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore24-TFBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-FBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

40µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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