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W25Q16JVUUIQ TR

W25Q16JVUUIQ TR

Solo per riferimento

Numero parte W25Q16JVUUIQ TR
PNEDA Part # W25Q16JVUUIQ-TR
Descrizione IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8USON
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.874
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25Q16JVUUIQ TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25Q16JVUUIQ TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25Q16JVUUIQ TR, W25Q16JVUUIQ TR Datasheet (Totale pagine: 75, Dimensioni: 2.869,72 KB)
PDFW25Q16JVUUIQ TR Datasheet Copertura
W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 2 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 3 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 4 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 5 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 6 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 7 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 8 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 9 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 10 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 11

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W25Q16JVUUIQ TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria16Mb (2M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-USON (4x3)

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Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Frequenza di clock

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Micron Technology Inc.

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Dimensione della memoria

128Mb (32M x 4)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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