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W25Q16JVSNIQ TR

W25Q16JVSNIQ TR

Solo per riferimento

Numero parte W25Q16JVSNIQ TR
PNEDA Part # W25Q16JVSNIQ-TR
Descrizione IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.082
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 30 - ott 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25Q16JVSNIQ TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25Q16JVSNIQ TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25Q16JVSNIQ TR, W25Q16JVSNIQ TR Datasheet (Totale pagine: 75, Dimensioni: 2.869,72 KB)
PDFW25Q16JVUUIQ TR Datasheet Copertura
W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 2 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 3 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 4 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 5 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 6 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 7 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 8 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 9 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 10 W25Q16JVUUIQ TR Datasheet Pagina 11

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W25Q16JVSNIQ TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria16Mb (2M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

120MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

700µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tensione - Alimentazione

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

16Gb (256M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1866MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Formato memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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