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W25M02GVTCIG TR

W25M02GVTCIG TR

Solo per riferimento

Numero parte W25M02GVTCIG TR
PNEDA Part # W25M02GVTCIG-TR
Descrizione IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.520
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25M02GVTCIG TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25M02GVTCIG TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25M02GVTCIG TR, W25M02GVTCIG TR Datasheet (Totale pagine: 71, Dimensioni: 1.084,11 KB)
PDFW25M02GVTCIT TR Datasheet Copertura
W25M02GVTCIT TR Datasheet Pagina 2 W25M02GVTCIT TR Datasheet Pagina 3 W25M02GVTCIT TR Datasheet Pagina 4 W25M02GVTCIT TR Datasheet Pagina 5 W25M02GVTCIT TR Datasheet Pagina 6 W25M02GVTCIT TR Datasheet Pagina 7 W25M02GVTCIT TR Datasheet Pagina 8 W25M02GVTCIT TR Datasheet Pagina 9 W25M02GVTCIT TR Datasheet Pagina 10 W25M02GVTCIT TR Datasheet Pagina 11

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W25M02GVTCIG TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina700µs
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia24-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore24-TFBGA (6x8)

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SSOPB

709089S12PF

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

25AA256X-I/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

S99FL132KMM41

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AT24C64W-10SC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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