VS-MBRD660CTTRPBF
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| Numero parte | VS-MBRD660CTTRPBF |
| PNEDA Part # | VS-MBRD660CTTRPBF |
| Descrizione | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO252 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.606 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-MBRD660CTTRPBF Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-MBRD660CTTRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
VS-MBRD660CTTRPBF, VS-MBRD660CTTRPBF Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 124,51 KB)
  
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VS-MBRD660CTTRPBF Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 60V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 750mV @ 200A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 60V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia TO-244AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-244AB |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Configurazione diodi - Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Temperatura di esercizio - Giunzione - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 120A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 750mV @ 60A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie HEXFRED® Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 15A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Configurazione diodi 1 Pair Series Connection Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 100A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 70ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione - Tipo di montaggio Screw Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
