VS-MBRD660CT-M3
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Numero parte | VS-MBRD660CT-M3 | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | VS-MBRD660CT-M3 | ||||||||||||||||||
Descrizione | DIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK | ||||||||||||||||||
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 285 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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VS-MBRD660CT-M3 Risorse
Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | VS-MBRD660CT-M3 |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
Datasheet |
VS-MBRD660CT-M3, VS-MBRD660CT-M3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 151,25 KB)
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VS-MBRD660CT-M3 Specifiche
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Tipo di diodo | Schottky |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 3A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 50V |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
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