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VS-GB70NA60UF

VS-GB70NA60UF

Solo per riferimento

Numero parte VS-GB70NA60UF
PNEDA Part # VS-GB70NA60UF
Descrizione IGBT 600V 111A 447W SOT-227
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.452
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-GB70NA60UF Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-GB70NA60UF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
VS-GB70NA60UF, VS-GB70NA60UF Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 169,22 KB)
PDFVS-GB70NA60UF Datasheet Copertura
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VS-GB70NA60UF Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)111A
Potenza - Max447W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.44V @ 15V, 70A
Corrente - Taglio collettore (Max)100µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

F4200R17N3E4BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™ 3

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

18nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

CM200DU-24H

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

1130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

30nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGF90DA60TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Potenza - Max

416W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 90A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

FF600R12IP4VBOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600A

Potenza - Max

3350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 600A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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