VS-GA200TH60S
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| Numero parte | VS-GA200TH60S |
| PNEDA Part # | VS-GA200TH60S |
| Descrizione | IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.220 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-GA200TH60S Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-GA200TH60S |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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VS-GA200TH60S Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Half Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 260A |
| Potenza - Max | 1042W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A (Typ) |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 5µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13.1nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Double INT-A-PAK |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Configurazione - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Potenza - Max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce - Input - Termistore NTC - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
