VS-E4PU6006LHN3
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| Numero parte | VS-E4PU6006LHN3 |
| PNEDA Part # | VS-E4PU6006LHN3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.476 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 3 - dic 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-E4PU6006LHN3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-E4PU6006LHN3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-E4PU6006LHN3, VS-E4PU6006LHN3 Datasheet
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VS-E4PU6006LHN3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 60A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 60A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 74ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 10V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 530mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 10V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-216AA Pacchetto dispositivo fornitore Powermite Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP® Tipo di diodo Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 2.4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.8µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 2000V Corrente - Media Rettificata (Io) 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 630A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 15mA @ 2000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-205AC, DO-30, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-205AC (DO-30) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 180°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 30V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AD Pacchetto dispositivo fornitore MicroSMP (DO-219AD) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F 100pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
