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VS-8EWS08STRLPBF

VS-8EWS08STRLPBF

Solo per riferimento

Numero parte VS-8EWS08STRLPBF
PNEDA Part # VS-8EWS08STRLPBF
Descrizione DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.658
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-8EWS08STRLPBF Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-8EWS08STRLPBF
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VS-8EWS08STRLPBF, VS-8EWS08STRLPBF Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 127,03 KB)
PDFVS-8EWS12SPBF Datasheet Copertura
VS-8EWS12SPBF Datasheet Pagina 2 VS-8EWS12SPBF Datasheet Pagina 3 VS-8EWS12SPBF Datasheet Pagina 4 VS-8EWS12SPBF Datasheet Pagina 5 VS-8EWS12SPBF Datasheet Pagina 6 VS-8EWS12SPBF Datasheet Pagina 7

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VS-8EWS08STRLPBF Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 8A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr50µA @ 800V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreD-PAK (TO-252AA)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

I prodotti a cui potresti essere interessato

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

960mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MUR190A R1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

900V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 900V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

FERD20H100SB-TR

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

FERD (Field Effect Rectifier Diode)

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

705mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

140µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

1N1192

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

40A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.19V @ 90A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 200°C

V1P6-M3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

130pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

MicroSMP

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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